MOSFETs
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Der FP6188XR-G1 ist ein hochintegrierter synchroner Buck-Regler (Step-Down), der von Feeling Technology Corp. entwickelt wurde. Er integriert zwei leistungsstarke MOSFET-Schalter mit einem R_DS(on) von typischerweise 0,13 Ω und erreicht eine Dauerleistung von bis zu 2 A bei einer Eingangsspannung von 4,5 V bis 23 V
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Hersteller: Goford Semiconductor
FET-Typ: N-Kanal
Technologie: MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C: 110 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)): 4,5V, 10V
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Montageart: SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse: TO-263-7
Anzahl der Kanäle: 1 Channel
Transistorpolung: N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung: 40 V
Id - Drain-Gleichstrom: 180 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 1.1 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung: 2 V
Vgs - Gate-Source-Spannung: 20 V
Qg - Gate-Ladung: 176 nC
Minimale Betriebstemperatur: - 55 C
Maximale Betriebstemperatur: + 175 C
Pd - Verlustleistung: 188 W
Verpackung/Gehäuse: TO-263-7
Anzahl der Kanäle: 1 Channel
Transistorpolung: N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung: 40 V
Id - Drain-Gleichstrom: 180 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 1.1 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung: 2 V
Vgs - Gate-Source-Spannung: 20 V
Qg - Gate-Ladung: 176 nC
Minimale Betriebstemperatur: - 55 C
Maximale Betriebstemperatur: + 175 C
Pd - Verlustleistung: 188 W
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Hersteller: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
FET-Typ: N-Kanal
Technologie: MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 200 V
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Status der Komponente: Aktiv
FET-Typ: N-Kanal
Technologie: MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C: 78 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)): 4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs: 3,5mOhm bei 40A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id: 2,35V bei 100µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs: 54nC @ 4,5V
Vgs (Max.): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds: 5110pF @ 15V
Verlustleistung (max.): 140W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp: Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten: TO-220AB
Gehäuse / Hülle: TO-220-3
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Produktstatus Nicht für Neukonstruktionen
Typ Transceiver
Protokoll CANbus
Anzahl der Treiber/Empfänger 1/1
Duplex Halb
Empfänger-Hysterese 100 mV
Datenrate -
Spannung - Versorgung 4,75V bis 5,25V
Betriebstemperatur -
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle 14-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
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N-Kanal-MOSFET, International Rectifier
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N-Kanal-MOSFET, International Rectifier
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N-Kanal-MOSFET, International Rectifier
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The 2SJ607 is P-channel MOS Field Effect Transistor designed
for high current switching applications.
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Hersteller: onsemi
FET-Typ: N-Kanal
Technologie: MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C: 100 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)): 4V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs: 4,7mOhm bei 50A, 10V
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs: 220 nC @ 10 V
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Hersteller: onsemi
FET-Typ: N-Kanal
Technologie: MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C: 100 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)): 4V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs: 4,7mOhm bei 50A, 10V
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs: 220 nC @ 10 V
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Hersteller: onsemi
FET-Typ: P-Kanal
Technologie: MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C: 100 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)): 4V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs: 5,8mOhm bei 50A, 10V
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs: 280 nC @ 10 V
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N-Kanal 30 V 16 A (Ta) 2W (Ta) Oberflächenmontage 8-SOP
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Buck Schaltregler IC Positiv Einstellbar 0,8V 1 Ausgang 1,5A 10-PowerTFSOP, 10-MSOP (0,118", 3,00mm Breite)
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TRIAC 16A 600V
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Velleman Group
Legen Heirweg 33
Gavere, Belgien, -
customercare@velleman.eu
https://www.vellemangroup.eu/
Legen Heirweg 33
Gavere, Belgien, -
customercare@velleman.eu
https://www.vellemangroup.eu/
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Wandlerpolarität: p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Dauer-Drainstrom Id: 100A
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0072ohm
Bauform - Transistor: TO-220AB
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10V
Schwellenspannung Vgs: 2V
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