IRF - IRFB3207PbF - MOSFET Transistor 75 V 170 A, TO-220AB 3-Pin

Artikelnummer: 17514

N-Kanal-MOSFET, International Rectifier

Kategorie: MOSFETs


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Beschreibung

Abmessungen 10.66 x 22.86 x 4.82mm
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Betriebstemperatur max. +175 °C
Betriebstemperatur min. -55 °C
Breite 22.86mm
Channel Mode Enhancement
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 170 A
Drain-Source-Spannung max. 75 V
Drain-Source-Widerstand max. 4,5 mO
Eingangskapazität typ. @ Vds 7600 pF @ 50 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs 180 nC @ 10 V
Gate-Source Spannung max. ±20 V
Gehäusegröße TO-220AB
Höhe 4.82mm
Kategorie Leistungs-MOSFET
Konfiguration Single
Länge 10.66mm
Maximale Gate-Schwellenspannung 4V
Minimale Gate-Schwellenspannung 2V
Montage-Typ Durchsteckmontage
Pinanzahl 3
Typical Turn-Off Delay Time 68 ns
Typical Turn-On Delay Time 29 ns
Verlustleistung max. 300 W

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